许多能产生电致发光的半导体,尚不能生长成单晶形式，对它们物理性质的了解还很不够。但制造p-n结却要求选用高纯度的材料才能控制杂质的掺入。

在选择半导体时，仔细研究那些对电致发光有影响的因素是很有意义的。

晶体生长 p-n结的作用要求单品材料;而且材料的缺陷应最少，掺杂的控制率应少于百万分之十。现已发现:许多可用作面结型电致发光的Ⅲ-V族半导体化合物熔点很高，在熔点温度下的蒸气压力也很高。这种不利因素已能通过高压拉晶法，溶液生长法和外延生长法得到某种程度的克服。溶液生长法和外延生长法均可在大大低于熔点的温度下进行。

两性导电载流子注入p-n结的技术，系假设半导体均可掺质为型和P型为前提。许多半导体，尤其是I-VI族半导体，都只有一种导电类型，即n型或P型。要想通过掺杂来制造另一种类型的载流子时，就会产生一种阻止这种改变的空位补偿机理。幸而Ⅲ-V族化合物没有这种现象,这正是人们所以致力于研究这类化合物的理由。

禁带宽度 如前所述，加正向偏压的p-n结所产生的光子发射能量有一个等于半导体禁带宽度的上限值。为了能制造一种可产生400毫微米以上整个可见光谱的器件，就要求半导体的禁带宽度达到3.1电子伏特。这对p-n结产生辐射是不可少的。不过现在已研制成一种新器件，是在小半导体片的表面涂一层萤光粉，其作用是把半导体的典型红外辐射转变为可见光。这种萤光材料属于反斯托克斯型。

宽禁带的半导体一般趋向于要求高熔点和高温工艺，这就增加了生产上的困难。

内部效率 如前所述，半导体的能带结构对辐射复合的效率有很大影响。因此需要进行详细的测量来核实预期的能带结构。

吸收率与折射率 半导体虽然是一种有效的辐射发生器，但当辐射到达半导体表面以前，有相当大百分比的辐射被吸收掉。同时，由于半导体的折射率也较大，所以只有一小部分的光能传到空气界面，其余的都损失于内反射。如砷化镓在其发射波长上的折射率为3.6，磷化镓在700毫微米处的折射率为3.33，550 毫微米处为3.6。

迁移率 通过p-n结的电流应尽可能均匀，才能保证灯的亮度均匀。也就是指灯的表面应有足够的导电率，而导电率又同载流子的迁移率有关。载流子迁移率高则有助于获得均匀发射。